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紅外熱像儀PT100傳感器探測器分類和發(fā)展簡史
紅外熱像儀PT100傳感器探測器分類和發(fā)展簡史
紅外熱像儀探測器分類和發(fā)展簡史-熱釋電紅外探測器
研究發(fā)現(xiàn),部分晶體(如硫酸三甘肽、鈮酸鍶鋇等)沿某一特定的方向切割成薄片,并在兩表面制作電極形成平板電容后,當(dāng)晶體溫度發(fā)生變化時,電容兩端將產(chǎn)生電壓。這種當(dāng)材料表面溫度發(fā)生變化后,因材料自發(fā)極化而在材料表面釋放出電荷的現(xiàn)象稱為熱釋電效應(yīng)[6]。如果將該電容器上接上負(fù)載電阻,則會產(chǎn)生熱釋電電流根據(jù)熱釋電效應(yīng)設(shè)計的紅外探測器就是熱釋電紅外探測器濕度傳感器探頭, 不銹鋼電熱管, PT100傳感器, 流體電磁閥,鑄鋁加熱器,加熱圈 。熱釋電材料僅在溫度變化時才產(chǎn)生響應(yīng)電流,這是熱釋電探測器區(qū)別于其他熱敏紅外探測器(如微測輻射熱計、熱電堆)的重要標(biāo)志。這個特點(diǎn)也決定了熱釋電紅外探測器必須在斬波器協(xié)助下才能正常工作。如果不使用斬波器,除非場景中有活動目標(biāo),否則熱釋電電荷將自動消散,場景圖像將漸隱。不過增加斬波器后,整個紅外成像系統(tǒng)結(jié)構(gòu)將變得復(fù)雜。
熱釋電材料可分為三類:單晶熱釋電、陶瓷熱釋電和薄膜熱釋電。在眾多熱釋電材料中,BST(鈦酸鍶鋇,BaxSr1-xTiO3)陶瓷材料是目前研究得*成熟也是*成功的一種熱釋電陶瓷材料。TI(后并入Raytheon)公司推出的245×328BST鐵電陶瓷焦平面已形成產(chǎn)品,像元尺寸48.5μm×48.5μm,NETD(噪聲等效溫差,NoiseEquivalentTemperature Difference)優(yōu)于0.8K,展示樣品的NETD優(yōu)于47 mK。
不過,由于鐵電陶瓷焦平面的制作工藝與標(biāo)準(zhǔn)大規(guī)模硅集成電路工藝不兼容,因此焦平面制造成本較高。此外,陶瓷混合集成熱釋電焦平面的性能已經(jīng)接近理論極限,因此自20世紀(jì)90年代中期以來,在美國國防預(yù)研局的資助下,Raython公司轉(zhuǎn)而研究單片集成式薄膜熱釋電紅外焦平面陣列,并取得了較大進(jìn)展,目前,Raytheon公司利用PLZT(鋯鈦酸鉛鑭,Pb1-xLax(ZryTi1-y)O3)熱釋電薄膜已經(jīng)成功制造出320×240單片式熱釋電焦平面陣列,陣列的NETD優(yōu)于90mK。
熱釋電紅外探測器是目前熱探測器中的佼佼者,這種探測器除具有一般熱探測器點(diǎn),如寬光譜響應(yīng)、室溫工作等優(yōu)點(diǎn)外,還具有以下特殊優(yōu)點(diǎn):
1)探測器輸出信號與靈敏元溫度變化率成正比,而與**溫度無關(guān),因而無需自身的熱平衡,響應(yīng)速度較快;2)熱釋電探測元本身可以作為一個濾波器,可以將一定量的噪聲旁路分離掉,噪聲較小;3)電荷存儲具有積分特性,能存儲由瞬時信號釋放的總電荷,此時電
荷的測量取決于瞬時的總量;4)無需加偏壓,讀出電路設(shè)計簡單。不過由于熱釋電紅外探測器需要斬波器協(xié)助才能正常工作,因此與熱電堆、測輻射熱計比較而言,成像系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜。
紅外熱像儀探測器分類和發(fā)展簡史-熱釋電紅外探測器
研究發(fā)現(xiàn),部分晶體(如硫酸三甘肽、鈮酸鍶鋇等)沿某一特定的方向切割成薄片,并在兩表面制作電極形成平板電容后,當(dāng)晶體溫度發(fā)生變化時,電容兩端將產(chǎn)生電壓。這種當(dāng)材料表面溫度發(fā)生變化后,因材料自發(fā)極化而在材料表面釋放出電荷的現(xiàn)象稱為熱釋電效應(yīng)[6]。如果將該電容器上接上負(fù)載電阻,則會產(chǎn)生熱釋電電流根據(jù)熱釋電效應(yīng)設(shè)計的紅外探測器就是熱釋電紅外探測器濕度傳感器探頭, 不銹鋼電熱管, PT100傳感器, 流體電磁閥,鑄鋁加熱器,加熱圈
熱釋電材料可分為三類:單晶熱釋電、陶瓷熱釋電和薄膜熱釋電。在眾多熱釋電材料中,BST(鈦酸鍶鋇,BaxSr1-xTiO3)陶瓷材料是目前研究得*成熟也是*成功的一種熱釋電陶瓷材料。TI(后并入Raytheon)公司推出的245×328BST鐵電陶瓷焦平面已形成產(chǎn)品,像元尺寸48.5μm×48.5μm,NETD(噪聲等效溫差,NoiseEquivalentTemperature Difference)優(yōu)于0.8K,展示樣品的NETD優(yōu)于47 mK。
不過,由于鐵電陶瓷焦平面的制作工藝與標(biāo)準(zhǔn)大規(guī)模硅集成電路工藝不兼容,因此焦平面制造成本較高。此外,陶瓷混合集成熱釋電焦平面的性能已經(jīng)接近理論極限,因此自20世紀(jì)90年代中期以來,在美國國防預(yù)研局的資助下,Raython公司轉(zhuǎn)而研究單片集成式薄膜熱釋電紅外焦平面陣列,并取得了較大進(jìn)展,目前,Raytheon公司利用PLZT(鋯鈦酸鉛鑭,Pb1-xLax(ZryTi1-y)O3)熱釋電薄膜已經(jīng)成功制造出320×240單片式熱釋電焦平面陣列,陣列的NETD優(yōu)于90mK。
熱釋電紅外探測器是目前熱探測器中的佼佼者,這種探測器除具有一般熱探測器點(diǎn),如寬光譜響應(yīng)、室溫工作等優(yōu)點(diǎn)外,還具有以下特殊優(yōu)點(diǎn):
1)探測器輸出信號與靈敏元溫度變化率成正比,而與**溫度無關(guān),因而無需自身的熱平衡,響應(yīng)速度較快;2)熱釋電探測元本身可以作為一個濾波器,可以將一定量的噪聲旁路分離掉,噪聲較小;3)電荷存儲具有積分特性,能存儲由瞬時信號釋放的總電荷,此時電
荷的測量取決于瞬時的總量;4)無需加偏壓,讀出電路設(shè)計簡單。不過由于熱釋電紅外探測器需要斬波器協(xié)助才能正常工作,因此與熱電堆、測輻射熱計比較而言,成像系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜。