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示波器的計算功能分析熱插拔電路

示波器的計算功能分析熱插拔電路
 數字示波器的計算功能是數字示波器*有趣的功能之一,可以簡化和擴展對熱插拔與負載切換電路的分析。巧用示波器的計算功能可以得出負載電容或MOSFET在導通和關斷時的瞬時功耗,這些參數對于設計和分析熱插拔與負載切換電路非常有意義,如果沒有示波器計算功能,這類參數只能做近似估計。

  本篇應用筆記介紹如何利用示波器檢測熱插拔電路MOSFET功耗和負載電容的**值。

  設置示波器

  簡化起見,我們用圖1所示的MAX5976熱插拔電路來做演示,其內置的檢流功能和帶驅動的MOSFET構成了一個完整的電源切換電路(下面的測試方法同樣適用于由分立元件搭的熱插拔控制電路)。按圖1所示方式將示波器探頭連至熱插拔電路,示波器即可獲取計算所需信號,兩個電壓探頭分別接輸入和輸出,用于檢測MOSFET兩端壓降,電流探頭用來檢測流過MOSFET的電流。

 

  這個基本連接方式同樣適用于非集成的熱插拔電路。測試輸入和輸出電壓的探頭分別接到MOSFET的前面和后面(MAX5976的MOSFET在內部,MAX5978則是外置MOSFET),電流探頭要與電路檢流電阻串聯。為了測到流經開關元件的**電流值,電流探頭應該放在輸入電容后,輸出電容前的位置。

  MOSFET功耗

  開關器件(通常是n溝道MOSFET)的功耗等于漏極/源極電壓差(VDS)與漏極電流(ID)的乘積。VDS是通道2和通道1的差,ID是電流探頭直接測量的結果。我們用的示波器(Tektronix® DPO3034)有一個專門的計算通道,可以通過如下(圖2)菜單配置。

 

  通過簡單編輯一個公式,實現通道1與通道2之差乘以電流探頭測得的值,從而得出MOSFET功耗。當熱插拔電路使能后,輸出電壓以dV/dt的斜率接近輸入電壓,流經MOSFET的輸出電容充電電流(ID)為:

  ID = COUT × dV/dt

  當輸出電容為360μF,VIN = 12V時,MOSFET導通瞬間示波器屏幕截圖如圖3a所示。MAX5976將瞬時浪涌電流限制在2A。注意功率波形是一個下降的斜坡,開始于12V × 2A = 24W,當輸出電壓升至12V時降至0W,熱插拔電路以恒定電流為負載電容充電,這正是我們所期望的。

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