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高溫條件下如何保護(hù)變送器、傳感器電路

高溫條件下如何保護(hù)變送器、傳感器電路
很多傳感器都需要用于在高溫條件下,測量高溫介質(zhì)的參數(shù)。比如溫度傳感器經(jīng)常被用于測量高溫介質(zhì)的溫度,有些介質(zhì)甚至達(dá)到600度的高溫,在這種高溫條件下如何確保溫度傳感器能夠正常工作呢?
  耐高溫傳感器實(shí)用化的關(guān)鍵在于傳感器自身的技術(shù)和從傳感器讀取信號的技術(shù)。這是因?yàn)椋词鼓軌蛟诟邷?00℃環(huán)境測量溫度,如果讀取數(shù)據(jù)的電路不能工作,也無法使用數(shù)據(jù)。一般來說,用SiC半導(dǎo)體制造耐高溫傳感器時,從數(shù)據(jù)讀取電路一方看到的傳感器電極電阻會升高。如果把讀取電路放在非高溫環(huán)境下,并利用很長的導(dǎo)線,那么導(dǎo)線的電阻便會影響傳感器信號,導(dǎo)致難以準(zhǔn)確測量。為了解決這一問題,我們有下面兩個方案。一個是利用機(jī)械式變頻器的方案,就是利用基于MEM加工技術(shù)制成的微小機(jī)械式開關(guān)來構(gòu)成變頻器電路。由于這樣的電路不依賴于半導(dǎo)體特性,因此在500℃下也能工作。雖然這樣的電路也可以通過SiC晶體管來實(shí)現(xiàn),但目前很難使用比硅晶圓缺陷多的SiC晶圓低成本制造晶體管。另一個方案是使用SiC二極管整流橋,把傳感器的電阻調(diào)低。雖然很難利用SiC晶圓低成本制造晶體管,但面向功率半導(dǎo)體的SiC二極管已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),在很多用途中都投入了實(shí)用。該方案提出,把基于紫外燈老化試驗(yàn)箱二極管的電阻轉(zhuǎn)換電路設(shè)在傳感器附近,信號便可通過同軸電纜延長。
  傳感器在高溫下使用*怕的就是對電路有影響,上面的方案可以說是應(yīng)用*多,但是隨著技術(shù)的發(fā)展,以后可能會有更好的方案,這就需要我們加大在傳感器研發(fā)上的投入。
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