| 顯示精度 |
熱電偶輸入/鉑電阻輸入：
（顯示值(PV)的±0.5%或±1℃，取較大者）±1位以下（見注1）
模擬量輸入： ±0.5% FS ±1位以下
CT輸入： ±5% FS ±1位以下 |
| 溫度變化的影響（見注2） |
熱電偶輸入(R, S, B)： （顯示值(PV)的±1%或±10℃，取較大者）±1位以下
其他熱電偶輸入： （顯示值(PV)的±1%或±4℃，取較大者）±1位以下。
-100℃以下的K熱電偶：±10℃以下
鉑電阻： （顯示值(PV)的±1%或±2℃，取較大者）±1位以下
模擬量輸入： ±1% FS±1位以下 |
| 電壓變化的影響（見注2） |
| 遲滯 |
0.1 ～ 999.9 EU （以0.1 EU為單位）（見注3） |
| 比例帶(P) |
0.1 ～ 999.9 EU （以1 EU為單位）（見注3） |
| 積分時(shí)間(I) |
0 ～ 3,999 s （以1 s為單位） |
| 微分時(shí)間(D) |
0.0 ～ 999.9 s （以0.1 s為單位） |
| 控制時(shí)間 |
0.5 s, 1 ～ 99 s （以1 s為單位） |
| 手動(dòng)復(fù)位值 |
0.0% ～ 100.0% （以0.1%為單位） |
| 報(bào)警輸出設(shè)定范圍 |
-1,999 ～ 9,999 （小數(shù)點(diǎn)位置取決于輸入類型） |
| 采樣時(shí)間 |
250 ms |
| 信號(hào)源電阻的影響 |
熱電偶： 0.1℃ (0.2℉)/Ω 以下（每線100 Ω以下）（見注4）
鉑電阻： 0.4℃ (0.8℉)/Ω 以下（每線10 Ω以下） |
| 絕緣電阻 |
20 MΩ 以上（500 VDC時(shí)） |
| 絕緣強(qiáng)度 |
不同極性的帶電端子之間1 min為600 VAC, 50/60 Hz |
| 抗振性 |
X、Y和Z方向上各2個(gè)小時(shí)10～55 Hz, 20 m/s2 |
| 抗沖擊性 |
6個(gè)方向上各3次150 m/s2 以下 |
| 重量 |
180 g |
| 保護(hù)等級(jí) |
后蓋：IP20，端子部分：IP00 |
| 存儲(chǔ)器保護(hù) |
EEPROM （非易失性存儲(chǔ)器）（可寫次數(shù)：100,000） |
| 標(biāo)準(zhǔn) |
批準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn) |
UL61010C-1, CSA C22.2 No.1010-1 |
| 符合的標(biāo)準(zhǔn) |
EN61010-1 (IEC61010-1): 污染級(jí)別2，過電壓類別II |
| EMC指令 |
EMI: EN61326
EMI 輻射: EN55011 1組 A類
EMI 傳導(dǎo): EN55011 1組 A類
EMS: EN61326
ESD 抗性: EN61000-4-2
輻射電磁場(chǎng)抗性: EN61000-4-3
抗破裂/抗噪聲: EN61000-4-4
抗傳導(dǎo)干擾: EN61000-4-6
抗浪涌: EN61000-4-5
抗工業(yè)用電頻: EN61000-4-8
抗電壓偏向/中斷: EN61000-4-11 |
